We are developing transistors that operate in the THz
分子線エピタキシー法(MBE)で高品質な半導体薄膜結晶を成長させています。
材料に用いるSb系半導体は高速動作や極低消費電力特性に関する優れた物性値を有するため、次世代材料として期待されています
原子間力顕微鏡(AFM)により、表面形態を観察することで結晶の成長条件を最適化しています。
微細電極形成と透過型電子顕微鏡(TEM)による観察を行っています。
We are depeloping LED and detector structures for detection mid-infafred and far-infared.
MBEを用いて、超高真空中で、 原子レベルで制御しながら、半導体結晶を成長しています。
分子の特定波長の赤外線を吸収する現象を利用したガス検知センサに用いられるLED及びdetectorの作製に関する研究を行っています。
発光層となる量子ドットを高密度・サイズ均一化させることで高発光輝度、低消費電力のLED作製を目指しています。
原子間力顕微鏡による量子ドット画像
We are developing our own simulater for ultra small semiconductor device.
半導体デバイスシミュレーターをFORTRANを使用して、大規模科学演算プログラムを開発しています。
VASP(Vienna Ab initio simulation packag) という第一原理計算ソフトウェアを使用して、 バンド構造計算をおこなっています。
使用するプログラミング言語はJulia,FORTRAN,Pythonを使用しています。また、研究室内で管理しているサーバー・ネットワークの管理を行っています。
Welcome to AIST.
Please send e-mail to 8119506@ed.tus.ac.jp.
●ポストSi材料(III-V族化合物半導体, Ge)とSiデバイスとのハイブリッド化技術
●低温(〜400℃以下)プロセスが可能な高性能Ge/III-Vデバイス化技術
●高性能集積化IoTセンシング•チップの実現により安全・安心社会に貢献する
現在、Siを用いたデバイスがエレクトロニクスの主流ですが、その高度集積化は物理的な限界に近づいています。一方で、今後のエレクトロニクス産業においては、安全・安心社会を実現するための高付加価値デバイスが期待されています。そのために、Siの性能を凌駕するポストSi材料(Ge、III-V族化合物半導体)とSi LSIとを融合させる技術を開発しています。ポストSiの低温デバイス作製技術と、Si LSIを融合させることで、電子デバイスと光学デバイスのワンチップ化など、多機能性と高集積化を両立した新しいIoTデバイスの実現を目指しています。
これまでポストSi材料とSi LSIを融合させるためのハイブリッド化の研究を進めてきました。ポストSi材料は高い移動度や直接遷移を利用したフォトニック材料として、Siでは実現不可能だったさまざまな機能をもっています。こうした材料を、高度なSi集積化技術と融合させるために、GeおよびIII-V半導体エピタキシャル成長技術を利用した結晶転写技術を開発し、容易にウエハレベルでの混載を可能にしました。また、プロセス温度が400℃以下でのGeおよびIII-V族半導体デバイスの作製によりSi-LSIとのハイブリッド化が容易になりました。プロセスの低温化は有機系基板上のデバイスを可能にするため、生活環境型ウェアラブルデバイスなどにも用途が広がります。
H25年度から藤代・研究室と密接な連携をとりながら、大学院生を受け入れております。国内で産総研にしかない最先端のデバイス作製施設を自由自在に操り、これまで世の中に無い新たな価値を生むデバイスを作ってみませんか？産総研ではたくさんの大学、民間企業、さらには海外機関との共同研究を進めており、キャリアも人材も様々な方々との共同研究は極めて刺激的です。
近年、Siに代わる新しいチャネル材料としてSiよりも高い移動度を有するGeが注目されています。ですが、Geは酸化物であるhigh-k材料との界面制御が非常に困難であるためSiよりも複雑な界面形成技術が必要とされます。そこで本研究室では、絶縁膜堆積手法と堆積前後での処理を最適化することで高品質、高移動度を有するGe-MOSFETを作製することを目的として日々研究を行っています。
高真空反応性 DC マグネトロンスパッタ装置を用いてゲート絶縁膜とゲート金属をin-situで連続的に堆積させています。また、この装置はLLチャンバー、RTA炉、スパッタ室が高真空中で連結されているのが特徴で、産総研にしかない装置です。
化合物材料の転写技術を用いてSi基板に転写したInGaAs層をチャネルに用いた表面照射型PhotoFETを試作しています。
そして、赤外感度性能の評価を進めています。
化合物半導体を利用した高感度な近赤外検出器は、光通信のみならず、セキュリティ、生体認識など幅広い分野で強く期待されており、特に、近赤外のLiDARは長距離の測長において自動運転には欠かせない技術として注目されています。
1982年 東京理科大学 理工学部 物理学科 卒業
1984年 東京理科大学 理工学研究科 物理学専攻 修士課程修了
東京理科大学 博士（工学）
東京理科大学 理学修士
化合物半導体へテロ構造デバイスの結晶成長、デバイスプロセス、デバイス物理、および回路設計に関する研究に従事。 モンテカルロ法を用いた物理デバイス・回路統合シミュレータの開発、MBE法を用いたヘテロ構造の作製と評価、ナノ構造の作製制御に関する研究に従事
沖電気工業(株)半導体技術研究所、研究員
沖電気工業(株)半導体技術研究所、主任研究員グループリーダー
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科、准教授
マサチューセッツ工科大学、客員研究員
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科、教授
独立行政法人情報通信研究機構、特別研究員
東京理科大学基礎工学部、学部長
東京理科大学大学院基礎工学研究科、研究科長
東京理科大学副学長
1982年 東京工業大学 工学部 化学工学科 卒業
1984年 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 電子化学専攻 修士課程修了
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 電子化学専攻 博士課程修了（理学博士)
1983-1989 イオン性融体の構造と電気的特性に関する研究に従事（東京工業大学)
1989-1998 化合物半導体量子ナノ構造の物性に関する研究に従事（富士通研究所)
1998- 高電子移動度トランジスタ（HEMT）に関する研究（モンテカルロ法デバイスシミュレーション、デバイスプロセスと特性評価）に従事（富士通研究所＆情報通信研究機構、東京理科大学)
2018- MBE法を用いたヘテロ構造・量子ナノ構造の作製に関する研究にも従事（東京理科大学)
株式会社 富士通研究所
郵政省 通信総合研究所（現・情報通信研究機構）特別研究員
独立行政法人 情報通信研究機構 出向・常駐
国立研究開発法人 情報通信研究機構 特別研究員
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科、教授
独立行政法人情報通信研究機構、特別研究員
東京農工大学連携大学院 電子情報工学専攻 客員教授
慶応義塾大学 理工学部 電子工学科 非常勤講師
東京理科大学 基礎工学部 電子応用工学科 教授
mproved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer
M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, N.Kishimoto, T. Hayashi, R. Machida, A. Endoh and H. I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
Effects of Channel Scaling on Electron Transport Properties of Sb-based HEMTs
N. Kishimoto, Y. Endoh, T. Hayashi, M. Hiraoka, R. Machida, A. Endoh, and H. I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
mproved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer
M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, N.Kishimoto, T. Hayashi, R. Machida, A. Endoh and H. I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
Effects of Channel Scaling on Electron Transport Properties of Sb-based HEMTs
N. Kishimoto, Y. Endoh, T. Hayashi, M. Hiraoka, R. Machida, A. Endoh, and H. I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) (The 46th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2019) & The 31st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2019))
InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure
N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure
N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
Monte Carlo Study on Electron Transport Properties of GaxIn1-xSb HEMT Structures Considering Roughness Scattering
Y. Fujisawa, T. Takahashi, S. Kawamura, S. Fujikawa, and H.I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017)
Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure
S. Fujikawa, T. Iwaki, Y. Harada, J.Takeuchi, Y.Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, and A. Kasamatsu, H. I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))
Fabrication of GaSb/AlGaSb Multi Quantum Wells Structure Grown on Si(100) Substrate Using Heteroepitaxial GaSb Thin-film and Dots Nucleation Layers
R. Machida, K. Akahane, I. Watanabe, S. Hara, S. Fujikawa, A. Kasamatsu, and H.I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))
Research and development of InP, GaN and InSb-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications
I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Hosako,H. Hamada, T. Kosugi, M. Yaita, A. E. Moutaouakil, H. Matsuzaki, O. Kagami,T. Takahashi, Y. Kawano, Y. Nakasha, N. Hara,D. Tsuji, K. Isono, S. Fujikawa, and H. I. Fujishiro
2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium
Electron Transport Properties of InSb/GaInSb Composite Channel
S. Fujikawa, J. Takeuchi, Y. Harada, and H. I. Fujishiro
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016)
InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro,
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016)
InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film
K. Isono, D. Tsuji, T. Taketsuru, S. Fujikawa, I. Watanabe Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro,
The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016
Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs
Takuto Takahashi, Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro
The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016
Growth of GaSb Dots Nucleation Layer and Thin -Film GaSb on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy
Ryuto Machida, RyusukeToda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) 2016
DEPENDENCE OF InSb/GaSb FILMS GROWN ON FLAT AND VICINAL GaAs (100) SUBSTRATES
S. Fujikawa, H. Suzuki, H. I. Fujishiro
31st NORTH AMERICAN MOLECULAR BEAM EPITAXY CONFRENCE
Electron transport properties of InGaSb quantum well structure
Y. Harada, K. Isono, T. Taketsuru, H. Suzuki, S. Katou, D. Tsuji, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
34rd Electronic Materials Symposium (EMS34)
Formation of GaSb islands on Si(100) with low-temperature grown GaSb layer
R. Machida, R. Toda, S. Fujikawa, S. Hara and H. I. Fujishiro
34rd Electronic Materials Symposium (EMS34)
Study on Impacts of Dislocation and Roughness Scatterings on Electron Transport in InSb QW Comparing Monte Carlo Simulation and Measurements
Shota Hatsushiba, Sachie Fujikawa and Hiroki Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2015 (CSW2015)
Growth of GaSb Islands on Si(100) with Low-temperature Grown GaSb Layer
Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Hiroki Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2015 (CSW2015)
Improved Electron Transport Properties of InSb-QW Structure Using Stepped Buffer Layer for Strain Reduction
S. Fujikawa, D. Tsuji, T. Taketsuru, T. Maeda and H. I. Fujishiro
18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014)
Improved electron transport characteristic of InSb-QW structure with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, S. Fujikawa and H. I. Fujishiro
33rd Electronic Materials Symposium (EMS33)
Comparison and Analysis of Mechanisms Comparison of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials
Yuki Yajima, Ryoko Ohama, Sachie Fujikawa, and Hiroki I. Fujishiro
33rd Electronic Materials Symposium (EMS33)
Characterization of InSb-QW structures with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb buffer layer for strain reduction
S. Fujikawa, Y. Takagi, T. Maeda, T. Taketsuru, D. Tsuji and H. I. Fujishiro
38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE2014)
Analysis of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials
Ryoko Ohama, Yuki Yajima, Akio Nisida, Sachie Fujikawa and Hiroki I. Fujishiro
41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014)
Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates
T.Gotoh,S.Fujikawa,H.I.Fujishiro,M.Ogura,T.Yasuda,T.Maeda
44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2013)
Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface
Ryuto Machida, Ryusuke Toda, Keisuke Yoshiki, Sachie Fujikawa, Shinsuke Hara, Akira Kawazu, Hiroki I. Fujishiro
Abstracts of 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2013)
Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
Shohei Nagai, Yutaro Nagai, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Shinsuke Hara, Akira Endoh, Issei Watanabe, and Akifumi Kasamatsu
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013)
Comparative Study on III-V DG MOSFETs with Various Channel Materials
Akio Nishida, Kei Hasegawa, Ryoko Ohama, Shinsuke Hara, and Hiroki I. Fujishiro
40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
Comparative Study on Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials
Y. Nagai, S. Nagai, J. Sato, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, I. Watanabe, and A. Kasamatsu
25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2013)
Effect of Types of Ga/Si(111) Reconstructed Structure on Growth Morphology of GaSb Island
R. Machida, K. Yoshiki, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro
20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20)
Delay Time Analysis of Graded Gate Field-Plate AlGaN/GaN HEMTs Using Monte Carlo Technique
K. Hara, T. Toshima, S. Hara, and H. I. Fujishiro
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Growth Process and Morphology of Three-Dimensional GaSb Islands on Ga/Si(111)
Shinsuke Hara, Ryuto Machida, Keisuke Yoshiki, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Hiroki I. Fujishiro, Akira Kawazu
39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2012)
Analysis of Performances of InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
J. Sato, Y. Nagai, S. Hara, H. I. Fujishiro, A. Endoh, and I. Watanabe
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2012)
Study of GaSb Strained Layer Locally Grown on Si(111) by Scanning Tunneling Microscopy
R. Machida, K. Yagishita, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H. I. Fujishiro
19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM19)
Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of Nano-Scale III-V MOSFETs
Hiroki Fujishiro
BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T
Study of Initial Growth Layer of GaSb on Ga- and Sb-induced Si(111) Reconstructed Surface by Scanning Tunneling Microscopy
S. Hara, R. Machida, K. Fuse, K. Yagishita, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu, and H. I. Fujishiro
11st International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructure (ACSIN-2011)
Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation of InSb HEMTs Considering Strain Effects
S. Hara, F. Machida, J. Sato, H. I. Fujishiro, A. Endo, Y. Yamashita and I. Watanabe
9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)
Strain Effects on Performances in InAs HEMTs
F. Machida, H. Nishino, J. Sato, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)
Comparative Study on Nano-Scale III-V MOSFETs with Various Channel Materials Using Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
T. Homma, K. Hasegawa, H. Watanabe, S. Hara and H. I. Fujishiro
38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
Study of GaSb quantum dot on Si(111) surface by scanning tunneling microscopy
K. Fuse, K. Yagishita, R. Machida, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki and H.I. Fujishiro
18th International Colloquiumon Scanning Probe Microscopy (ICSPM18)
Impact of Electron Rebound from Drain on Drive Current in Nano-Scale InGaAs MOSFETs
Hiroki Fujishiro, Hisanao Watanabe, Takahiro Homma and Shinsuke Hara
International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
Selective Growth of InSb on Localized Area of Si(100) by Molecular Beam Epitaxy
Tomoaki Iida, Yuichi Nishino, Akinori Uchida, Hiroyuki Horii, Shinsuke Hara, Hiroki I. Fujishiro
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
Quantum-Corrected Monte Carlo Study of Nano-Scale InGaAs MOSFETs
H. Watanabe, T. Homma, T. Takegishi, Y. Hirasawa, Y. Hirata, S. Hara and H. I. Fujishiro
37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
MONTE CARLO STUDY OF STRAIN EFFECT ON HIGH FIELD ELECTRON TRANSPORT IN InAs AND InSb
H. Nishino, I. Kawahira, F. Machida, S. Hara and H. I. Fujishiro
22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010)
Study of Ga adsorption structure on Ni/Si(100) surface by scanning tunneling microscopy
K. Fuse, T. Suzuki, K. Yagishita, Y. Hirata, S. Hara, K. Irokawa, H. Miki, A. Kawazu and H.I. Fujishiro
17th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy (ICSPM17)
Study of the hydrogen terminated Si(113) surface by scanning tunneling microscopy and ab initio calculation
Shinsuke Hara, Toru Suzuki, Kazuhiro Fuse, Katsumi Irokawa, Hirofumi Miki, Akira Kawazu, Hiroki Fujishiro
10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 10)
Theoretical Study on Upper Limit of Cutoff Frequency in Nano-Scale InAs HEMTs Based on Quantum-Corrected Monte Carlo Method
H. I. Fujishiro, T. Takegishi, H. Watanabe, and S. Hara
8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009)
THEORETICAL STUDY OF PERFORMANCE LIMITS IN NANO-SCALE InAs HEMTS BASED ON QUANTUM-CORRECTED MONTE CARLO METHOD
T.Takegishi, H.Watanabe, R.Yamada, T.Matsumoto, S.Hara, H.I.Fujishiro
21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2009)
AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響
林 拓也、平岡瑞穂、大金剛毅、國澤宗真、岸本尚之、渡邊一世、山下良美、原 紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記
第81回応用物理学会秋季学術講演会
Si基板上表面照射型InGaAs PhotoFETの近赤外線分光感度特性
大石和明、石井裕之、張 文馨、石井寛仁、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎
第81回応用物理学会秋季学術講演会
表面照射型InGaAs PhotoFETの分光感度特性
大石和明、石井裕之、張 文馨、清水鉄司、石井寛仁、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎
第67回応用物理学会春季学術講演会
In0.78Ga0.22SbチャネルHEMTの高周波及び雑音特性に関するモンテカルロシミュレーション解析
熊坂昂之輔、白井脩策、遠藤 聡、藤代博記
第67回応用物理学会春季学術講演会
GaAs基板上Sb系HEMTにおけるGaSbバッファを用いた低転位化
大金剛毅、平岡瑞穂、林 拓也、國澤宗真、渡邊一世、山下良美、原 紳介、町田龍人、笠松章史、遠藤 聡、藤代博記
第67回応用物理学会春季学術講演会
AlInSb/InSb QW構造における表面モフォロジーと電子移動度の関係
町田龍人、渡邊一世、原 紳介、遠藤 聡、山下良美、笠松章史、藤代博記
第67回応用物理学会春季学術講演会
転写技術を用いたSi基板上の表面照射型InGaAs PhotoFETの実証
大石和明、石井裕之、張 文馨、清水鉄司、石井寛仁、藤代博記、遠藤 聡、前田辰郎
応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会
Ge表面清浄化プロセスを用いたY2O3/Ge pMOSFETsの作製と評価
石井寛仁、石井裕之、張 文馨、森田行則、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎
応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会
Y2O3/Ge pMOSFETsにおけるGe表面清浄化プロセスの検討
石井寛仁、石井裕之、張 文馨、森田行則、遠藤 聡、藤代博記、前田辰郎
ＳＡＴテクノロジー・ショーケース2020
Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いた歪Ga1-xInxSb量子井戸チャネルの電子輸送特性
東理大基礎工，情報通信研究機構，平岡 瑞穂，遠藤 勇輝，大澤 幸希，岸本 尚之，林 拓也，町田 龍人，渡 邊 一世，山下 良美 ，原 紳 介，後藤 高 寛，笠松 章史，遠藤 聡，藤代 博記
第80回応用物理学会秋季学術講演会
歪Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySbステップバッファを用いたGa1-xInxSb量子井戸チャネルの電子輸送特性
東理大基礎工，情報通信研究機構，平岡 瑞穂，遠藤 勇輝，大澤 幸希，岸本 尚之，林 拓也，町田 龍人，渡 邊 一世，山下 良美 ，原 紳 介，後藤 高 寛，笠松 章史，遠藤 聡，藤代 博記
第80回応用物理学会秋季学術講演会
チャネルスケーリングがSb系HEMT構造の電子輸送特性に及ぼす影響
岸本 尚之, 熊坂 昂之輔, 遠藤 勇輝, 林 拓也, 平岡 瑞穂, 白井 脩策, 吉田 直史, 町田 龍人, 渡邊一世, 山下 良美, 原 紳介, 後藤 高寛, 笠松 章史, 遠藤 聡, 藤代 博記
第80回応用物理学会秋季学術講演会
GaInSbチャネルHEMT構造のゲート・チャネル間距離パラメータが電気的特性に与える影響
岸本 尚之, 遠藤 勇輝, 林 拓也, 平岡 瑞穂, 町田 龍人, 遠藤 聡, 藤代 博記
第66回応用物理学会春季学術講演会
アンチモン系トランジスタの開発
藤代 博記、磯野 恭佑、高橋 択斗、原田 義彬、岡 直希、竹内 淳、藤澤 由衣、藤川 紗千恵、町田 龍人、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史
電子デバイス研究会-ミリ波･テラヘルツ波デバイス・システム
NiGe/Geコンタクト構造の熱輸送特性
中島 佑太, 内田 紀行, 町田 龍人, 藤代 博記, 服部 淳一, 福田 浩一, 前田 辰郎
第78回応用物理学会秋季学術講演会
GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製
町田 龍人，赤羽 浩一，渡邊 一世，原 紳介，藤川 紗千恵，笠松 章史，藤代 博記
第78回応用物理学会秋季学術講演会
LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響
遠藤 勇輝, 原田 義彬, 竹内 淳, 岩木 拓也, 町田 龍人, 藤代 博記
第78回応用物理学会秋季学術講演会
GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御
伊藤 峰水，鈴木 浩基，渡邊 優介，藤川 紗千恵，町田 龍人，藤代 博記
第78回応用物理学会秋季学術講演会
Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価
石黒 稔也，藤川 紗千恵，王 科，前田 哲利，町田 龍人，藤代 博記，平山 秀樹
第78回応用物理学会秋季学術講演会
低温成長InSbがGaAs基板上InSb薄膜成長に与える影響
渡邊 優介，椎野 響太，伊藤 峰水，鈴木 浩基，藤川 紗千恵，町田 龍人，藤代 博記
第78回応用物理学会秋季学術講演会
InSb/Ga0.35In0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価
岩木拓也, 原田義彬, 竹内 淳, 遠藤勇輝, 藤川紗千恵, 藤代博記
第63回応用物理学会春季学術講演会
3次元ICに向けた多結晶InSb nMOSFETの実現
高橋正紘, 入沢寿史, 張文馨, 富永淳二, 藤川紗千恵, 藤代博記, 前田辰郎
第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT22)
アンチモン系トランジスタおよび関連技術に関する研究開発
渡邊一世，山下良美，遠藤聡，原紳介，赤羽浩一，笠松章史，辻大介，町田龍人，竹鶴達哉，戸田隆介，磯野恭佑，藤川紗千恵，藤代博記
電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」調査専門委員会
蒸着SiOx膜を用いたfT=300GHz超InSb-HEMTの作製
辻 大介，磯野恭佑，竹鶴達哉，藤川紗千恵，渡邊一世，山下良美，遠藤聡，原紳介，笠松章史
第63回応用物理学会春季学術講演会
In1-xGaxSb量子井戸構造の電気的特性評価
原田義彬,岡直希,藤川紗千恵,藤代博記
第63回応用物理学会春季学術講演会
SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上
加藤三四郎，宮下愛理，藤川紗千恵，藤代博記
第63回応用物理学会春季学術講演会
高密度GaSbドットを用いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成長
町田 龍人，戸田 隆介，藤川 紗千恵，原 紳介，渡邊 一世， 赤羽 浩一，笠松 章史，藤代 博記
第63回応用物理学会春季学術講演会
3次元ICに向けた多結晶に向けた多結晶InSbInSb MOSMOS FETFETの電気特性評価
高橋正紘,藤川紗千恵,藤代博記,入沢寿史,富永淳二,前田辰郎
第63回応用物理学会春季学術講演会
ナノスケールIII‐V HEMTの雑音解析
高橋 択斗、初芝 正太、藤川 紗千恵、藤代 博記
第76回応用物理学会秋季学術講演会
3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価
高橋 正紘、藤川 紗千恵、藤代 博記、入沢 寿史、富永 淳二、前田 辰郎
第76回応用物理学会秋季学術講演会
Al/Si(111)-√3×√3表面再構成構造上GaSb初期成長過程の温度依存性
緒方 悟公、町田 龍人、石井 達也、藤川 紗千恵、原 紳介、色川 勝己、三木 裕文、河津 璋、藤代 博記
第76回応用物理学会秋季学術講演会
GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性
鈴木 浩基、藤川 紗千恵、藤代 博記
第76回応用物理学会秋季学術講演会
InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価
原 紳介、渡邊 一世、竹鶴 達哉、辻 大介、藤川 紗千恵、藤代 博記、赤羽 浩一、笠松 章史
第76回応用物理学会秋季学術講演会
AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
竹鶴達哉、藤川紗千恵、原田義彬、鈴木浩基、磯野恭佑、加藤三四郎、辻 大介、藤代博記
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
GaSb表面の純窒化プロセスの検討
後藤 高寛、藤川 紗千恵、藤代 博記、小倉 睦郎、安田 哲二、前田 辰郎
第62回応用物理学会春季学術講演会
InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討
前田 章臣、辻 大介、竹鶴 達哉、藤川 紗千恵、藤代 博記、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史
第62回応用物理学会春季学術講演会
GaSb表面の純窒化プロセスの検討
後藤 高寛、藤川 紗千恵、藤代 博記、小倉 睦郎、安田 哲二、前田 辰郎
第62回応用物理学会春季学術講演会
InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討
前田 章臣、辻 大介、竹鶴 達哉、藤川 紗千恵、藤代 博記、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史
第62回応用物理学会春季学術講演会
Ga/Si(100)表面再構成構造上 GaSb 3 次元島の成長形態解析
戸田隆介, 町田龍人, 緒方悟公, 藤川紗千恵, 原紳介, 藤代博記
2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価
後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価
竹鶴達哉，前田章臣，辻大介，藤川紗千恵，藤代博記
2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
貫通転位がInSb HEMTの特性に与える影響の解析
初芝正太,長井彰平,藤川紗千恵,原紳介,遠藤聡,渡邊一世,笠松章史,藤代博記
2014年秋季 第75回 応用物理学会学術講演会
III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析
矢島悠貴，大濱諒子，藤川紗千恵，藤代博記
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析
初芝正太，長井彰平，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記
電子情報通信学会 電子デバイス研究会
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析
矢島悠貴，大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会
ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析
初芝正太，長井彰平，永井佑太郎，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会
Al2O3/GaSb MOS 界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討
後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
第61回応用物理学会春季学術講演会
ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価
藤川紗千恵，高木裕介，前田章臣，藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会
歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価
藤川紗千恵，高木裕介，前田章臣，古仲佑太朗，原紳介，渡邉一世，遠藤聡，山下良美，笠松章史，藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会
各種チャネル材料を用いたナノスケールHEMTの周波数限界
長井彰平，永井佑太郎，藤川紗千恵，原紳介，遠藤聡，渡邊一世，笠松章史，藤代博記
2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析
大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記
2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
GaSb ショットキー接合型メタルS/D pMOSFETs の動作実証
後藤高寛，藤川紗千恵，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
2013年秋季 第74回 応用物理学会学術講演会
Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成
町田龍人，戸田隆介，吉木圭祐，藤川紗千恵，原紳介，色川勝己，三木裕文，河津璋，藤代博記
電子情報通信学会ED研究会
真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響
後藤高寛，原紳介，藤代博記，小倉睦郞，安田哲二，前田辰郎
電子情報通信学会ED研究会
InSb/Al0.25In0.75Sb HEMTの作製及び特性評価
高橋 維，小畑卓也，古仲佑太朗，高木裕介，原 紳介，藤代博記，渡邊一世，山下良美，遠藤 聡，笠松章史
第60回応用物理学会春季学術講演会
GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製
後藤高寛，原 紳介，藤代博記，小倉睦郎，安田哲二，前田辰郎
第60回応用物理学会春季学術講演会
Ga 誘起 Si(111)再構成表面上 GaSb ナノ構造の成長形態の温度依存性
町田龍人，吉木圭祐，原紳介，色川勝己，三木裕文，河津璋，藤代博記
第32回表面科学学術講演会
傾斜 Field-Plate 構造 AlGaN/GaN HEMT の 遅延時間の発生メカニズムに関する理論的検討
戸島拓也，原和也，原紳介，藤代博記
2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響 に関する理論的解析
長谷川慶，西田明央，原紳介，藤代博記
2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会
InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析
西田明央，長谷川慶，原紳介，藤代博記
2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析
永井佑太郎，佐藤純，原紳介，藤代博記，遠藤 聡，渡邊一世
電子情報通信学会ED研究会
GaAs基板上InSb/AlInSbヘテロ構造の断面TEM観察
原紳介，内田明憲，堀井宏之，藤代博記
中部地区ナノテク総合支援：ナノ材料創製加工と先端機器分析 平成23年度成果報告会
モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析
平澤勇樹，原和也，原紳介，藤代博記
電子情報通信学会 2012年総合大会
InSb HEMTのデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響
佐藤純，荒井敦志，町田史晴，原紳介，藤代博記，遠藤聡，渡邊一世
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析
町田史晴，佐藤純，原 紳介，藤代 博記，遠藤聡，渡邊一世
2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会
各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較
長谷川慶，本間嵩広，原 紳介，藤代 博記
2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会
量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析
佐藤純，町田史晴，原紳介，藤代博記
電子情報通信学会ED研究会
InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究
佐藤純，町田史晴，西野啓之，原紳介，藤代博記
2011年 電子情報通信学会総合大会
InAs HEMTの歪み効果に関するモンテカルロ解析
町田史晴，佐藤純，西野啓之，原紳介，藤代博記
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会
Si(111)表面上GaSb初期成長層のSTM観察
町田龍人，布施和敬，八木下一輝，原紳介，色川勝己，三木裕文，河津璋，藤代博記
2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会
量子補正モンテカルロ法によるInGaAs MOSFETの電子輸送解析
藤代博記
電気学会調査専門委員会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」研究会
InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析
渡邉 久巨，本間 嵩広，原 紳介，藤代 博記
2010年電子情報通信学会ソサイエティ大会
InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の影響の解析
本間嵩広，渡邉久巨，原 紳介，藤代 博記
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
格子整合系歪みInAs HEMTのモンテカルロ解析
町田史晴，西野啓之，原 紳介，藤代 博記
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
MBE法によるSiO2/Siパターン基板上InSbの結晶性評価Ⅱ
飯田智顕，西野祐一，原 紳介，藤代 博記
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
MBE法によるSiO2/Siパターン基板上InSbの結晶性評価Ⅰ
西野祐一，飯田智顕，原 紳介，藤代 博記
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
MBE法によるGaAs(100)基板上AlInSb/InSb QW構造の特性評価
内田明憲，堀井宏之，原 紳介，藤代 博記
2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析
本間 嵩広，渡邉 久巨，原 紳介，藤代 博記
電子情報通信学会ED研究会
MBE 法によるGaAs(100)基板上InSbへのTe δドープにおける基板温度度依存性
内田明憲，長谷川温，堀井宏之，山田純也，原紳介，藤代博記
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
MBE法によるSiO2/Siパターン基板上のInSb選択成長
飯田智顕，長谷川温，田中辰喜，西野祐一，原紳介，藤代博記
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
水素終端Si(113)表面上のSTMリソグラフィによる水素原子脱離
鈴木徹, 布施和敬, 原紳介, 色川勝己, 河津璋, 三木裕文, 藤代博記
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送の理論的解析
渡邉久巨，本間嵩広，竹岸孝之，原紳介，藤代博記
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
歪み印加時のInAsとInSbの電子輸送特性に関する理論的解析
西野 啓之，川平 一太，町田 史晴，原 紳介，藤代 博記
2010年 電子情報通信学会総合大会
アイシン精機、NTTデータ、東京理科大学博士課程、日亜化学、日揮、浜松ホトニクス、富士ゼロックス、三菱電機エンジニアリング、村田製作所
Amazon Web Service、NHK、川崎重工業、三洋貿易、TDK、JR東海
京セラ、大和総研、竹内製作所、ニコン、パナソニック、日立システムズ、本田技研工業、三菱電機
日立製作所、ファナック、トヨタ自動車、三菱電機、キャノン、竹中工務店、日本電産、富士ゼロックス、リコージャパン、パナソニック
IBM、ソフトバンク、東京電力、トヨタ自動車、三菱電機、日立製作所、アドヴィックス、日産車体
トヨタ自動車、川崎重工業、ソフトバンク、明電舎、NTTファシリティーズ、三菱日立パワーシステムズ、アイシン精機、中央エンジニアリング
NTT東日本、川崎重工業、コクヨ、日立製作所、クボタ、三井造船
ジヤトコ、日本信号、北陸電力、ブラザー工業、JR東海、プレス工業、川崎重工業
三菱電機、京セラ、日立ハイテクノロジーズ、アズビル、プレス工業、テクノプロエンジニアリング、東洋ソフトウエアエンジニアリング
ルネサスエレクトロニクス、日立製作所、本田技研工業、いすゞ自動車、エスペック、野村総合研究所
大日本印刷、旭化成、日立超LSIエレクトロニクス、オリンパス、NTT東日本、富士重工業、横河電機、KDDI、海上自衛隊
リコー、東芝、ソニー、オリンパス、キャノン、ルネサステクノロジ
三菱重工業、大日本印刷、旭化成、三菱電機インフォメーションシステムズ、リコー、凸版印刷、キャノン
凸版印刷、三菱重工業、KDDI、東芝、特許庁
ヤマハマリン、三菱重工業、NECエレクトロニクス、凸版印刷、リコー、キャノン
JR東日本、本田技研工業、三菱重工業、ソニー、日立アドバンストデジタル、凸版印刷、日本電産、野村不動産
ソニー、ペンタックス、凸版印刷、ボッシュオートモーティブシステム、日立電子サービス、三菱ふそうトラックバス、三菱重工業
三菱電機、NEC情報システムズ、東京電力、富士電機システムズ
TDK、三菱電機